特許
J-GLOBAL ID:200903061758852932

表面形状認識用センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-135036
公開番号(公開出願番号):特開平11-318864
出願日: 1998年05月18日
公開日(公表日): 1999年11月24日
要約:
【要約】【課題】 センシングの際に発生する静電気によって静電破壊されることなどがないなど、安定して高感度の検出が信頼性の高い状態でできるようにする。【解決手段】 半導体基板101上の下層絶縁膜102上に形成された層間絶縁膜104上に、たとえば80μm角のセンサ電極105、および、アース電極106を備え、センサ電極105を覆うようにパシベーション膜107が形成され、そのパシベーション膜107表面でアース電極106の上部が露出している。
請求項(抜粋):
基板上の同一平面にそれぞれが絶縁分離されて複数配置されたセンサ電極と、このセンサ電極を覆うように形成された絶縁体からなるパシベーション膜と、前記センサ電極に形成された容量を検出する容量検出手段とを備え、少なくとも一部が前記パシベーション膜表面に接触した状態で認識対象の表面が前記センサ電極に対向配置されたときに前記センサ電極に形成された容量により前記認識対象の表面形状を認識する表面形状認識用センサにおいて、前記センサ電極とは絶縁分離されて前記認識対象の表面に接触するようにその一部が前記パシベーション膜表面で露出して前記基板上に形成されたアース電極を備え、前記容量検出手段は、そのアース電極と前記センサ電極それぞれとの間の容量を検出するように構成されたことを特徴とする表面形状認識用センサ。
IPC (2件):
A61B 5/117 ,  G06T 1/00
FI (2件):
A61B 5/10 322 ,  G06F 15/64 G
引用特許:
出願人引用 (5件)
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