特許
J-GLOBAL ID:200903061762962076

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 史旺 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-374400
公開番号(公開出願番号):特開2001-189424
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 個別に形成された異種の集積回路を同一半導体基板上に混載した半導体装置およびその製造方法に関し、別々に形成された回路を同一半導体基板上に搭載し、かつ良好な特性を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に、所定の機能を有する回路と1以上の凹部とを形成し、その凹部に、予め製造された半導体チップを嵌設させる。この場合、半導体チップの位置決めが確実であり、かつ基板表面を一様化することができる。また、基板上の回路と半導体チップ上の回路を別々に形成することができる。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、所定の機能を有する回路と1以上の凹部とが形成されており、その凹部に予め製造された半導体チップを嵌設してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L 27/04 U ,  H01L 25/04 Z
Fターム (9件):
5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許:
審査官引用 (16件)
  • 特開平2-229454
  • 特開平4-363058
  • 特開平3-142869
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