特許
J-GLOBAL ID：200903061765549331
歪多重量子井戸構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038882
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242571
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】井戸層に圧縮歪を有するInGaAs、障壁層にInGaAsまたはInGaAsPを用いる歪多重量子井戸構造において、+1.2%よりも大きな歪量の井戸層を用いた場合においても良質な結晶が得られる素子構造とその製造方法を提供する。【解決手段】InP基板上に、基板の格子定数に対し+1.2%以上の圧縮歪を有するInGaAsからなる井戸層と、基板の格子定数に対する歪量が±0.2%以内で、膜厚が15nm以上のInGaAsもしくはInGaAsPからなる障壁層とを少なくとも積層した歪多重量子井戸構造とする。薄膜の成長温度を480°C以上、540°C以下の範囲となし、障壁層を成長する際のV族原料ガスの総供給量を、井戸層を成長させる際のV族原料ガスの総供給量の2倍以上とする工程を含む歪多重量子井戸構造の製造方法とする。
請求項（抜粋）：
InP基板上に、該基板の格子定数に対し+1.2%以上の圧縮歪を有するInGaAsからなる井戸層と、上記基板の格子定数に対する歪量が±0.2%以内で、膜厚が15nm以上のInGaAsもしくはInGaAsPからなる障壁層とを少なくとも積層してなることを特徴とする歪多重量子井戸構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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