特許
J-GLOBAL ID：200903096471849459
量子井戸レーザおよびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267777
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】量子井戸層の設計が自由な歪量子井戸レーザとその作製方法を提供する。【構成】量子井戸に、基板の格子定数に合った格子定数の第1の材料2と、該第1の材料2よりエネルギーギャップが小さく、かつ基板の格子定数と異なる第2の材料3との積層構造を備える。【効果】本発明の量子井戸構造をレーザに用いれば高性能のレーザを容易に得ることができ、また本発明の成長方法を用いれば、成長界面の数をふやすことなく容易に量子井戸構造を作製することができる。また将来の変調器や各種光素子への応用が期待できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の活性層に量子井戸の構成を備える量子井戸レーザにおいて、上記量子井戸は、基板の格子定数に合った格子定数の第1の材料と、該第1の材料よりエネルギーギャップが小さく、かつ基板の格子定数と異なる格子定数を有する第2の材料との積層構造を備えることを特徴とする量子井戸レーザ。
引用特許：
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