特許
J-GLOBAL ID：200903061766843870
レジスト表面処理剤組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346448
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148821
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】【解決手段】 基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで現像を行うに際し、ポストエクスポジュアーベーク後、現像前にプリウエット処理するために用いるレジスト表面処理剤組成物であって、25°Cにおける表面張力が25dyne/cm以下であり、25°CにおけるpHが7以下である水溶液からなることを特徴とするレジスト表面処理剤組成物。【効果】 本発明によれば、フッ素原子や珪素原子を含むベースポリマーを用いたレジスト膜の現像液に対する濡れ性を良好にすることができ、現像不良による欠陥のないレジストパターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで現像を行うに際し、ポストエクスポジュアーベーク後、現像前にプリウエット処理するために用いるレジスト表面処理剤組成物であって、25°Cにおける表面張力が25dyne/cm以下であり、25°CにおけるpHが7以下である水溶液からなることを特徴とするレジスト表面処理剤組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/38 511
, G03F 7/004 504
, G03F 7/075 511
G03F 7/38 511
, G03F 7/004 504
, G03F 7/075 511
2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025CB32
, 2H025CB41
, 2H025CC04
, 2H025FA12
, 2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096FA01
, 2H096FA05
, 2H096GA08
, 2H096GA11
, 2H096JA03
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)
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