特許

J-GLOBAL ID：200903061769081830

太陽電池用シリコン膜、シリコン太陽電池及びその製造方法

発明者： 中野 要治 ,  小林 靖之 ,  米倉 義道
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197939
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 広バンドギャップと高導電率を兼ね備えた高効率の太陽電池用シリコン膜、薄膜シリコン太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 pin積層構造の光電変換部を有する薄膜シリコン太陽電池のp層に用いられる太陽電池用シリコン膜であって、シリコンと炭素を主成分とし、膜の導電型をp型とするドーパントを含み、さらにハロゲンを含む。

請求項（抜粋）：

薄膜シリコン系太陽電池のp層に用いられる太陽電池用シリコン膜であって、シリコンと炭素を主成分とし、膜の導電型をp型とするドーパントを含み、さらにハロゲンを含むことを特徴とする太陽電池用シリコン膜。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (46件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA30 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC09 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA07 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-094172
  
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-072521   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-158869