特許

J-GLOBAL ID：200903061773468324

半導体装置の製造方法

発明者： 村越 篤 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115277
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】浅いpn接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。【解決手段】引き出し電極2によりBイオンを初期加速エネルギーまで加速し、後段加速管4によってBイオンを最終加速エネルギーまで減速するときに、1<初期加速エネルギー/最終加速エネルギー≦3に設定する。

請求項（抜粋）：

イオンを加速し、前記イオンのエネルギーを増加させる工程と、前記イオンを減速し、前記イオンのエネルギーを減少させる工程と、前記イオンを試料に注入する工程とを有し、前記イオンを加速し、前記イオンのエネルギーを増加させる工程において、増加させるエネルギーをE1、前記イオンを減速し、前記イオンを減速する工程において、減少させるエネルギーをE2とした場合、1<E1/(E1-E2)≦3の条件を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603

FI (4件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 603 A ,  H01L 21/265 Z

Fターム (6件)：

4K029AA06 ,  4K029BA31 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029DE01 ,  5C034CC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 傾斜ディセル装置とそのイオンビームの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-139580   出願人：住友イートンノバ株式会社