記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-131667
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317654
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】簡素な構成で確実な読込・書込・維持を実現することができる安価で小型な新規の記憶装置を提供する。【解決手段】一つの金属原子21を内包した多数の金属原子内包ナノカプセルとしてのフラーレン20と、このフラーレン20を規則的に配置すると共に各フラーレン20に内包された金属原子21の位置を何れか一方側に独立して分極制御する一対の電極板22,23とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一つの金属原子を内包した多数の金属原子内包ナノカプセルと、該多数の金属原子内包ナノカプセルを規則的に配置すると共に該各金属原子内包ナノカプセル内の前記金属原子の位置を何れか一方側に独立して分極制御する一対の電極板とを備えていることを特徴とする記憶装置。

IPC (4件)：

H01L29/06 , B82B1/00 , G11B11/12 , H01L27/10

FI (4件)：

H01L29/06 601N , B82B1/00 , G11B11/12 , H01L27/10 451

Fターム (1件)：

5F083FZ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-205526 出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

光導電体および感光体
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-313884 出願人：株式会社東芝
特開昭48-009680

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