半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-269774
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091555
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】本発明では、酸素欠損を低減させ、信頼性を改善した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1の発明の半導体装置は、基板と、基板に形成された半導体領域と、半導体領域上に形成され、1種以上の第1金属元素の酸化物で形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、酸化物の生成自由エネルギーについて第1金属元素よりも大でありかつ金属状態である第2金属元素、および第1金属元素の酸化物で形成された遷移層と、遷移層上に形成された電極と、電極をゲート長方向に挟む半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域とを備えたことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に形成された半導体領域と、前記半導体領域上に形成され、1種以上の第1金属元素の酸化物で形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、酸化物の生成自由エネルギーについて前記第1金属元素よりも大でありかつ金属状態である第2金属元素、および前記第1金属元素の酸化物で形成された遷移層と、前記遷移層上に形成された電極と、前記電極をゲート長方向に挟む前記半導体領域に形成されたソース・ドレイン領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/314

FI (10件)：

H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L27/08 321D , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L21/28 301R , H01L29/78 613A , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L21/314 A

Fターム (146件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD90 , 4M104EE03 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC05 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F058BA05 , 5F058BC03 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP52 , 5F083EP56 , 5F083GA06 , 5F083JA02 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F101BA07 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD35 , 5F101BD50 , 5F101BE07 , 5F101BF09 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL24 , 5F110NN02 , 5F110NN62 , 5F110QQ19 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF09 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF32 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK01 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK30 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (1件)

高誘電率誘電体膜、MOS型電界効果トランジスタ、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-417636 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る