特許

J-GLOBAL ID：200903061816178961

半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： 小林 光 ,  米田 健司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074753
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 MIS構造の半導体デバイス、とりわけMOSトンネルダイオード、MOSトランジスタ、容量において絶縁膜-半導体界面における界面準位密度を低減することにより高性能のMISデバイスを得る。【解決手段】 半導体基板表面をシアノイオンCN- に暴露させることにより、絶縁膜-半導体界面の界面準位密度を低減させる。シアン処理の方法としてはシアン化合物溶液中に半導体ウエハを浸漬させるか、シアン化合物ガスに暴露させることにより、CN- イオンを半導体表面のダングリングボンドに結合させ界面準位の低い絶縁膜-半導体界面を得る。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板表面にシアノイオンCN- を暴露する工程と、該半導体基板上に絶縁膜を形成する工程を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/314 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/88 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/88 F ,  H01L 31/10 A