特許
J-GLOBAL ID：200903061817352140

コーティング方法ならびにそれに用いる半導体製造装置

発明者：
森永 典文

森永 典文 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
日立東京エレクトロニクス株式会社

日立東京エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050614
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246256
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 CVD反応により成膜を行う反応管から発生する重金属などの不純物による半導体ウエハへの汚染を確実に防止する。【解決手段】 生成する膜がナイトライド(Si3 N4 )膜の場合、真空ポンプにより反応管3a内を半導体ウエハの成膜時の以上の圧力である20〜30パスカル程度まで減圧し、ガス供給部から反応管3aに半導体ウエハの成膜時と同じ流量以上の反応ガスを供給する。ヒータ3b1 〜3b3 の温度分布は、反応管3aの他方の開口部近傍に位置するヒータ3b1 を830°C程度、反応管3aの中央部に位置するヒータ3b2 、反応管3aの一方の開口部近傍に位置するヒータ3b3 を780°C程度に加熱する。これらの条件により反応管3aのすべての内面に1μm程度の薄膜を形成したコーティングを行った後に半導体ウエハ上への成膜を開始する。
請求項（抜粋）：
薄膜材料を構成する元素からなる反応ガスを半導体ウエハに成膜を行う反応管に供給し、所定の励起エネルギによりCVD反応させ、前記半導体ウエハ表面に形成される薄膜と同一の薄膜を前記反応管の内面に形成することによりコーティングを行うことを特徴とするコーティング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭55-153323
  • 特開昭59-092519
  • 特開昭60-076126
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審査官引用 (5件)
  • 特開昭55-153323
  • 特開昭59-092519
  • 特開昭60-076126
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