特許

J-GLOBAL ID：200903061821019740

半導体装置の製造方法

発明者： 小野 泰弘 ,  渡嘉敷 健
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294951
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118850
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に金、銀及び白金、イリジウム等の元素周期表の白金族金属及びそれらの合金を電極膜とし、ドライエッチング後の基板上に残渣として堆積するエッチング反応物を効果的に除去できる半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】 シリコン基板上4の絶縁膜を層間下地層上3に、レジストとパターンマスクを介して金属電極膜2をパターン成膜させる半導体装置の製造方法において、絶縁膜上に電極膜用の金属種をスパッタリング後、レジストを成膜し、パターンマスクを介してドライエッチングをした後、レジストアッシングを行い、レジスト及び電極膜側壁面に残渣物として堆積したエッチング反応物5に、加圧下に水蒸気6を吹き付けた後、洗浄処理を行い、所定のパターニングに基づく金属電極膜を形成させる半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の絶縁膜を層間下地層とし、レジストをパターンマスクとして前記層間下地層上に遷移金属及びその合金の電極膜をパターン成膜させてなる半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜上に前記電極膜をスパッタリングさせた後、レジストを成膜し、次いで、前記レジストのパターンマスクを介してドライエッチングを行った後、レジストアッシングを行い、前記レジスト側壁面及び電極膜側壁面に沿って残渣として堆積したエッチング反応物に対して、ノズルから加圧下に水蒸気を吹き付け、所定のパターニングに基づく前記電極膜を形成させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 N

Fターム (44件)：

4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD65 ,  4M104DD99 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF16 ,  5F004AA09 ,  5F004BB13 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB26 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX21 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F046MA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 浴室乾燥暖房装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097245   出願人：松下精工株式会社
• 特開昭60-005528
  
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-140039   出願人：三菱電機株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
• 特開昭60-005528