特許
J-GLOBAL ID：200903061844743690

ウエーハの化学研磨処理方法及び装置

発明者：
宮地 健次

宮地 健次 について


出願人/特許権者：
大宮工業株式会社

大宮工業株式会社 について


代理人 (1件)： 三原 靖雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243739
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】半導体のウエーハの化学研磨処理を、非処理面に処理液が付着しない手段を施して品質の向上とコストの低減を果たすこと。【解決手段】ウエーハ(W)の直径よりやや小径の円形吸着面(10c)を持つ真空チャック(10)に、ウエーハ(W)の処理面を上向きにして周縁部が張り出した状態でチャッキングさせ、この張り出した外周部の下面に、真空チャック(10)の上端外周部から斜め上向きにパージ用ガスを吹き付けて、化学研磨処理液や洗浄液をウエーハの外周から飛散させて、非処理面への付着やミストの回り込みを阻止するもので、この阻止により、ウエーハの非処理面の防護のために従来から行われているテーピングを不要とすることができる。
請求項（抜粋）：
上端を円形吸着面とする真空チャックに、この円形吸着面より大径のウエーハを、周縁部が真空チャックの外周より張り出した状態に吸着して、回転しながら上面に化学研磨液や洗浄液を噴射して化学研磨処理を行う際に、上記回転真空チャックの上端外周から、ウエーハの裏面円周部にパージ用ガスを吹き付けて、化学研磨処理液や洗浄液を円周の外方に飛散させることを特徴とする円板状物体の化学研磨処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/68
FI (3件)：
H01L 21/306 M ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/68 P
Fターム (8件)：
5F031CA02 ,  5F031HA13 ,  5F031MA22 ,  5F031MA23 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043DD13 ,  5F043EE08
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 表面処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167934   出願人：エム・セテック株式会社

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