特許
J-GLOBAL ID：200903061847317960
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178232
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 活性層および光ガイド層の層幅の製造誤差に起因する発振波長の不均一を防止する。【解決手段】 基板12上に選択成長法により活性層13と光ガイド層14とを連続的に形成し、光ガイド層14の層幅の変化による等価屈折率の変動と層厚の変化による等価屈折率の変動とを相互に補償させ、光ガイド層14の等価的な屈折率を略一定とすることでレーザ光の発振波長を均一化する。
請求項（抜粋）：
基板上に活性層が位置し、該活性層上に光ガイド層が位置し、該光ガイド層の上面に回折格子が形成され、前記活性層が誘導放出するレーザ光を前記回折格子により分布帰還させる半導体レーザにおいて、前記活性層と前記光ガイド層とが選択成長法により形成されており、該光ガイド層の上面に前記回折格子が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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