特許

J-GLOBAL ID：200903061851328704

コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置

発明者： 川口 宏
出願人/特許権者： 住友イートンノバ株式会社
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222636
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053018
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】コーティング膜の検出方法及びこれに用いるイオン注入装置を提供すること。【解決手段】電気伝導率が小さい物質でコーティング膜を形成している機材、例えば、ウエハ支持体のディスク(11)の表面上に同一コーティング膜を有する電気測定センサ(18)を設け、粒子ビーム等の照射による前記機材の表面のコーティング膜の膜厚変化を前記センサ(18)からの信号により検出する。これにより、イオンビームに照射されるコーティング膜の寿命をいち早く検知して、ディスク(11)から金属物質がスパッタリングで放出されるのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

低導電性物質によりコーティング膜が形成されている機材の表面上に同一コーティング膜を有する電気測定センサを設け、粒子ビーム等の照射による前記機材の表面のコーティング膜の膜厚変化を前記センサからの信号により検出することを特徴とするコーティング膜の検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (2件)：

H01L 21/265 T ,  H01J 37/317 C

Fターム (3件)：

5C034CC07 ,  5C034CC13 ,  5C034CD07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-222848   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝