窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法ならびに窒化物半導体基板製造用基体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217113
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体とは異なる材料の基板と、窒化物半導体との熱膨張係数差により、窒化物半導体膜へのクラックの発生を抑制する方法および、クラックのない窒化物半導体基板を製造する方法を提供する。【解決手段】母材基板の上に易破壊層を設けて、その上に窒化物半導体層を形成する。サファイア基板の主面に薄いシリコンを成長し、窒化物半導体層を厚く成長する。さらに、シリコン基板をエッチングで除去して窒化物半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

母材基板上に半導体層を設ける工程と、前記半導体層上に窒化物半導体層を設けて前記半導体層に欠陥を生じせしめる工程とを有する窒化物半導体層の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB02 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045BB13 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045HA13 , 5F045HA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322132 出願人：豊田合成株式会社
特開平1-173764
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-032031 出願人：松下電子工業株式会社

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