特許

J-GLOBAL ID：200903053653124718

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石田 昌宏 ,  油利 正昭 ,  今藤 修 ,  中村 真嗣 ,  折田 賢児
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311863
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を構成する窒化物系化合物半導体層の結晶性を向上させる。【解決手段】 第1の熱膨張係数T1(7.5×10-6/K)を有するサファイアよりなる厚さ300μmの基板100の上に、第2の熱膨張係数T2(2.55×10-6/K)を有するシリコンよりなる厚さ1.5μmの歪み緩和層101を形成した後、歪み緩和層101の上に、バッファ層となる厚さ0.05μmのAlN層102を介して、第3の熱膨張係数T3(5.59×10-6/K)を有する厚さ3.0μmのGaN層103を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の熱膨張係数T1を有する基板と、前記基板上に形成され、第2の熱膨張係数T2を有する歪み緩和層と、前記歪み緩和層上に形成され、第3の熱膨張係数T3を有し且つAlyGa1-y-zInzN (0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物系化合物よりなる半導体層とを備え、前記第2の熱膨張係数T2は前記第1の熱膨張係数T1よりも小さく、前記第3の熱膨張係数T3は、前記第1の熱膨張係数T1よりも小さく且つ前記第2の熱膨張係数T2よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (20件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB02 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置,及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-321725   出願人：三菱電機株式会社
• III 族窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-163872   出願人：富士電機株式会社
• 特開平1-147825
  
• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-224899   出願人：松下電子工業株式会社