特許
J-GLOBAL ID：200903061854436761

半導体基体及びこの製造方法

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

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佐藤 純治

佐藤 純治 について

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杢 哲次

杢 哲次 について

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佐藤 雅裕

佐藤 雅裕 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-143328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349387
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】LED、ヘテロ接合トランジスタ等の半導体装置のための転移密度の小さい化合物半導体基体を形成することが困難であった。【解決手段】化合物半導体基体10を、シリコン基板11を用意する工程と、前記基板11の表面上に前記基板と異なる材料をエピタキシャル成長させて転位を含むバッファ領域12を得る工程と、前記バッファ領域12の表面上に前記バッファ領域と異なる材料をエピタキシャル成長させ、前記バッファ領域の表面よりも平坦性の悪い表面を有し且つその表面に転位の延びる方向を屈折させることができる多数の突出部16を有している転位屈折領域13を得る工程と、前記転位屈折領域の表面上に前記転位屈折領域と異なる窒化物をエピタキシャル成長させ、前記転位屈折領域の表面よりも平坦性が良く且つ前記転位屈折領域よりも転位密度が小さい平坦化領域14を得る工程で製造する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
化合物半導体装置のための半導体基体の製造方法であって、 化合物半導体をエピタキシャル成長させることが可能な基板を用意する工程と、 前記基板の表面上に化合物半導体をエピタキシャル成長させて転位を含む可能性を有するバッファ領域を得る工程と、 前記バッファ領域の表面上に前記バッファ領域と異なる化合物半導体をエピタキシャル成長させ、前記バッファ領域の表面よりも平坦性の悪い表面を有し且つその表面に転位の延びる方向を屈折させることができる多数の突出部を有している転位屈折領域を得る工程と、 前記転位屈折領域の表面上に前記転位屈折領域と異なる化合物半導体をエピタキシャル成長させ、前記転位屈折領域の表面よりも平坦性が良く且つ前記転位屈折領域よりも転位密度が小さい表面部分を有している平坦化領域を得る工程と を備えていることを特徴とする半導体基体の製造方法。
IPC (7件)：
H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H ,  H01L29/72 H
Fターム (42件)：
5F003AZ01 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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