半導体発光素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040179
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313421
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】低抵抗のシリコンから成る基板11の上にAlNから成る第1の層12aとGaNから成る第2の層12bとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層12を設ける。バッファ層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域13、窒化ガリウムインジウムからなる活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体領域15を順次に形成する。p形半導体領域15の上にアノード電極17を設け、基板11にカソード電極18を設ける。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体を有する半導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り、且つ低い抵抗率を有している基板(11)と、前記基板(11)の一方の主面上に配置され、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(但し、xは0<x≦1を満足する数値である。)から成る第1の層とGaN又はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(但し、yはy<x及び0<y<1を満足する数値である。)から成る第2の層との複合層から成っているバッファ層(12)と、発光機能を得るために前記バッファ層(12)の上に配置された複数の窒化ガリウム系化合物層を含んでいる半導体領域(10)と、前記半導体領域(10)の表面上の一部に配置された第1の電極(17)と、前記基板(11)の他方の主面に配置された第2の電極(18)とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Fターム (7件)：

5F041AA24 , 5F041AA40 , 5F041AA47 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65

引用特許：

審査官引用 (4件)

3族窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214003 出願人：豊田合成株式会社
3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-025852 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-322859 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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