炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072364
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274173
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】ソース領域とベース領域とを正確な位置関係で形成できるようにする。【解決手段】 n- 型炭化珪素エピ層2上にマスク材20を形成すると共に、このマスク材20の所定領域に側面が傾斜した開口部20aを形成し、この開口部20aよりイオン注入を行ってp- 型炭化珪素ベース領域3a、3bと、該p-型炭化珪素ベース領域3a、3bよりも接合深さの浅いn+ 型ソース領域4a、4bを形成する。このように、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3b及びn+ 型ソース領域4a、4bを同一のマスクで形成することができるため、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3b及びn+ 型ソース領域4a、4bを自己整合的に形成することができ、これらを正確な位置関係で形成することができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層上に、マスク材(20)を成膜する工程と、前記マスク材の所定領域に、側面が傾斜した開口部(20a)を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記開口部よりイオン注入を行い、第2導電型のベース領域(3a、3b)を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記開口部よりイオン注入を行い、前記ベース領域の中に該ベース領域よりも接合深さの浅いソース領域(4a、4b)を形成する工程と、前記マスク材を除去する工程と、少なくも前記ソース領域と前記半導体層とに挟まれた前記ベース領域の表層部の上にゲート電極(8)を形成すると共に、前記ベース領域及び前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板のうち、前記主表面とは反対側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/16 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 B , H01L 29/16 , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化けい素縦形FETの製造方法および炭化けい素縦形FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-000665 出願人：富士電機株式会社
炭化けい素MOSFETの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-301439 出願人：富士電機株式会社
電界効果型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-125091 出願人：トヨタ自動車株式会社

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