特許

J-GLOBAL ID：200903061878245835

半導体光素子、半導体光素子アレイ、および、これらを用いた光通信システム

発明者： 土屋 朋信 ,  大家 彰 ,  古森 正明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012655
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216500
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 p-InP基板上の埋込構造ではZn-Feが相互拡散を起こすため、FeドープInPによる高抵抗埋込成長が用いられずにp/n接合を用いた埋込構造が用いられていた。このため、歩留まりが悪く高速化が困難であった。また半絶縁のInAlAsを用いる例もあったが、InAlAsの抵抗率が低く、埋込成長には不十分であった。【解決手段】 埋込層として半絶縁のInAlAs(9)と半絶縁のFeドープInP(10)を用いる。これにより基板となるZnドープInP層(1)とFeドープInP層(10)との間に半絶縁のInAlAs(9)が挿入され、Fe-Znの相互拡散を抑制する。また、p/n接合は用いず、全て半絶縁層で埋め込んでいる。本構成によると、全て半絶縁層であることから、微妙な形状制御を必要とせず素子の高歩留まり化が可能となる。また、p-InPやn-InPを用いないことから寄生容量が小さく、素子の高速化も図れる。

請求項（抜粋）：

Znドープp型層と、活性層と、Feドープ半絶縁層とを有する半導体光素子であって、前記Znドープp型層と前記Feドープ半絶縁層が直接接しないように両層の間にAlを含んだ半絶縁層を設けたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01S 3/18 677 ,  H01S 3/18 680 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06

Fターム (22件)：

5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA66 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AB05 ,  5F073BA02 ,  5F073CA15 ,  5F073EA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056085   出願人：株式会社東芝