特許

J-GLOBAL ID：200903065096806124

半導体レーザ

発明者： 櫛部 光弘 ,  高岡 圭児 ,  船水 将久 ,  国分 義弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255950
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 半絶縁性InP層内のFeとp-InP層内のZnの相互拡散を防ぐことができ、半絶縁性InP層の抵抗率を高く保ち、漏れ電流が小さく、高出力まで動作可能な埋め込み型半導体レーザを提供すること。【構成】 InP基板101上に形成された量子井戸活性層102を含むメサ部と、このメサ部の側面を埋め込む埋め込み部とを備えた半導体レーザにおいて、埋め込み部は、p-InP層11と、InPよりもバンドギャップの大きいInGaAlAs層112と、半絶縁性のInP層113と、n-InP層114とを順に積層してなるものであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された活性層を含む発光領域と、この発光領域の側面を埋め込む埋め込み部とを具備してなり、前記埋め込み部は、半絶縁性のInP層と、該InP層と前記発光領域との間に設けられたInPよりもバンドギャップの大きいIn1-x-y Gax Al yAs拡散防止層(0≦x≦1,0≦y≦1)とを含むものであることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-120775
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259506   出願人：日本電気株式会社
• 電流狭窄構造を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-131268   出願人：古河電気工業株式会社, 伊賀健一
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-123749   出願人：三菱電機株式会社