窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077058
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273472
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 p型窒化物半導体と電極間の接触抵抗および注入キャリアの非発光表面再結合による損失を低減させた、低消費電力、又は/及び、レーザ発振閾値の低い窒化物半導体発光素子およびそのための窒化物半導体の薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】基板上に、窒化物半導体薄膜の[1-100]方向に平行となるストライプ状の開口部12を有するマスク材13を形成し、この開口部12に、Mgをドーピングさせた窒化物半導体薄膜11を選択成長させることとした。この窒化物半導体薄膜11は、(0001)面16が成長することにより形成された部分14と、{11-2x}(x=0,1,2)ファセット面17が成長することにより形成された部分15とからなり、部分15のMg濃度を、部分14のMg濃度に比べて低くなるようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に、(0001)面を主方位面とする窒化物半導体を選択成長させて薄膜形成するための方法であって、前記基板の主方位面上に、選択成長させる窒化物半導体の[1-100]方向に平行なストライプ状の開口部、または、任意の辺が選択成長させる窒化物半導体薄膜の[1-100]方向に平行な多角形状の開口部を有するマスク材を形成して前記基板の主方位面の一部を露出させ、該開口部領域に、金属MgまたはMg化合物を含有するガスを用いた気相成長法により、(0001)主方位面方向の成長により形成された第1の窒化物半導体結晶部分と、{11-2x}(x=0,1,2)ファセット面の成長により形成された第2の窒化物半導体結晶部分と、からなる窒化物半導体薄膜を選択成長させ、前記第2の窒化物半導体結晶部分のMg濃度を、前記第1の窒化物半導体結晶部分のMg濃度に比べて低くすることを特徴とする窒化物半導体の薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DB01 , 5F045DC57 , 5F073AA11 , 5F073AA66 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073DA24 , 5F073EA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039444 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039444 出願人：株式会社日立製作所

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