半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275283
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086778
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】高性能で、信頼性の高い半導体装置を、製造工程の増加を防止して、安価に提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも光電変換部、転送電極及び遮光膜が形成された半導体基板上であって、前記光電変換部の上方に転送電極及び遮光膜に起因する凹部を有する層間膜を形成し、高屈折率及び感光性を有する材料膜を、前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも光電変換部、転送電極及び遮光膜が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に転送電極及び遮光膜に起因する凹部を有する層間膜を形成し、高屈折率及び感光性を有する材料膜を前記層間膜上に形成し、該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (11件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118BA13 , 4M118CA03 , 4M118FA06 , 4M118GB03 , 4M118GB08 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118GD08

引用特許：

審査官引用 (6件)

層内レンズの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332896 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置及びこの装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-306365 出願人：株式会社東芝
特開平3-280574

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