半導体製造装置、真空ポンプの寿命予測方法及び真空ポンプの修理タイミング決定方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085736
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285974
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】単一のガスは勿論、複数のガスを排出する真空ポンプの寿命予測を行うこと。【解決手段】チャンバーからガスを排出する真空ポンプを有する半導体製造装置の寿命予測用コントローラは、前記真空ポンプの寿命を予測するための基準となる指標値をプロセス条件毎に基準ファイルから読み込み、リアルタイムに入力される前記真空ポンプの状態量から寿命の指標値を求め、求めた寿命の指標値と前記読み込んだプロセス条件に対応する基準の指標値との差異の変化の経過から、前記求めた寿命の指標が前記基準の指標値を超える期間までを算出し、この期間を前記真空ポンプの寿命予測値とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを処理するチャンバーと、前記チャンバーを制御するコントローラと、前記チャンバーからガスを排出する真空ポンプとを有する半導体製造装置において、前記コントローラから前記チャンバーのプロセス条件を入力する第1の入力機能部と、前記真空ポンプの状態量を前記真空ポンプからリアルタイムに入力する第2の入力機能部と、前記入力したプロセス条件と前記真空ポンプの状態量から前記真空ポンプの寿命を予測する予測機能部と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

F04B 49/10 331 , F04B 37/16 , F04D 27/00

FI (3件)：

F04B 49/10 331 A , F04B 37/16 H , F04D 27/00 G

Fターム (27件)：

3H021AA08 , 3H021BA21 , 3H021CA03 , 3H021CA07 , 3H021CA08 , 3H021CA09 , 3H021EA10 , 3H021EA11 , 3H021EA12 , 3H045AA38 , 3H045BA41 , 3H045CA06 , 3H045CA21 , 3H045CA22 , 3H045CA24 , 3H045DA47 , 3H045DA48 , 3H045EA04 , 3H045EA13 , 3H045EA14 , 3H045EA20 , 3H045EA26 , 3H045EA36 , 3H045EA37 , 3H045EA38 , 3H076AA21 , 3H076BB45

引用特許：

出願人引用 (1件)

真空ポンプ異常監視システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083075 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

真空ポンプ異常監視システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083075 出願人：株式会社日立製作所

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