半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011310
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206400
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、キャパシタ容量の増大をはかることを目的とする。【構成】本発明では、ストレージノード電極10の側面に横縞状の起伏を形成するようにしている。レジストの露光に際し定在波を利用して側面に横縞状の起伏を形成し、ストレージノード電極10を形成するようにしている。ストレージノードコンタクト8のパターン形成にチャネルストッパ3として用いた多結晶シリコンの酸化と同時に転写マスクを溶融してエッジを丸め、ストレージノード電極10の湾曲した突出側壁部を形成するようにしているい。

請求項（抜粋）：

MOSFETと、前記MOSFETのソ-スまたはドレイン領域に、ストレ-ジノ-ドコンタクトを介して接続されたストレ-ジノ-ド電極とキャパシタ絶縁膜とプレ-ト電極とからなるキャパシタとによって、メモリセルを形成してなるDRAMにおいて、前記ストレ-ジノ-ド電極は、少なくとも側面の一部に横縞状の起伏を形成していることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-095966
特開平3-174767
特開平3-218663

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