化合物半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139029
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335695
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】化合物半導体装置及びその製造方法に関し、IV族半導体基板表面の低抵抗化を防ぎ、十分実用に耐え得る高速用、或いは、高周波用化合物半導体装置を提供する。【構成】 IV族半導体基板1及び化合物半導体薄膜2の双方において深いエネルギー準位を形成する不純物を少なくとも表面に含んでいるIV族半導体基板1上に、化合物半導体薄膜2を設け、この化合物半導体薄膜2に能動素子を設ける。

請求項（抜粋）：

IV族半導体基板上に化合物半導体薄膜を設けた化合物半導体装置において、前記IV族半導体基板の少なくとも表面に、前記IV族半導体基板及び前記化合物半導体薄膜の双方において深いエネルギー準位を形成する不純物が含まれていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 29/205

FI (4件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/205 , H01L 21/22 C , H01L 29/205

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭56-035411
特開平4-223330
特開平4-242985

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審査官引用 (6件)

特開昭56-035411
特開平4-223330
特開平4-242985

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