特許
J-GLOBAL ID：200903062006785256
シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264510
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】CDEを用いてシリコン基体またはシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を選択的にエッチング除去する際、シリコンまたはシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を比較的高く設定する。【構成】シリコン基体11またはシリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜14の一部またはその全てをエッチング除去する際に、フッ素を含むガスと、酸素ガスと、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスを放電部2に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性種のラジカルのみをシリコン基体が収容されている処理室5に導入することにより、シリコン窒化膜をシリコン基体に対して選択的にエッチング除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基体上またはシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜が形成された半導体ウエハーを処理室内部に収容する工程と、フッ素を含むガスと、酸素ガスと、水素原子を含むガスとを構成元素とする混合ガスを放電部に導入してプラズマを発生させ、プラズマ活性種のラジカルのみを前記処理室内部に導入し、前記シリコン窒化膜の一部またはその全てを選択的にエッチング除去するエッチング工程とを具備することを特徴とするシリコン窒化膜のエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 B
