アクティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を用いた液晶表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045879
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】低いコンタクト抵抗をうることのできるアクティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明のコンタクトホール形成方法は、(1)第1の電極および第1の電極の表面の部分以外の基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(2)ドライエッチングにより該絶縁膜をパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、(3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程とからなり、前記(2)の工程において、ドライエッチングによりコンタクトホールを形成した後、処理圧Pが100Pa〜400Paの範囲の条件下でプラズマエッチングモードもしくはRIEモードでの酸素ガスによる表面処理を行なう。

請求項（抜粋）：

(1)基板上に設けた第1の電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(2)該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、(3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であって、前記(2)の工程において、第1のドライエッチングガスが4フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガスであり、かつ、該酸素ガスの流量が4フッ化炭素ガスの流量よりも多いエッチング条件で前記絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3213 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/302 F , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 D , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 617 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-161429
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-012096 出願人：シャープ株式会社

前のページに戻る