特許

J-GLOBAL ID：200903098487237600

半導体装置の製造方法

発明者： 西村 健一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012096
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209131
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 焼成温度を低下させる目的で不純物が添加された有機絶縁膜をドライエッチングする場合に、エッチング残渣なくエッチングを行う。【解決手段】 半導体装置上に形成され、不純物が微量添加された有機絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する方法であって、前記有機絶縁膜上に所定形状のレジストを形成し、このレジストをマスクにして酸素ガスとフッ素ガスの混合ガスを用いて有機絶縁膜をドライエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体装置上に形成され、不純物が微量添加された有機絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する方法において、前記有機絶縁膜上に所定形状のレジストを形成し、このレジストをマスクにして酸素ガスとフッ素ガスの混合ガスを用いて前記有機絶縁膜をドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-250651
  
• 特開平3-268427
  
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264351   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭59-004024