特許

J-GLOBAL ID：200903062044644070

積層欠陥核生成サイトを減らして、バイポーラデバイスのVfドリフトを低減する方法

発明者： スマケリス,ジョセフ・ジョン
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-528051
公開番号（公開出願番号）：特表2007-506289
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

炭化珪素ベースのバイポーラデバイスにおいて、積層欠陥核生成を減らし、そして順方向電圧(Vf)ドリフトを低下させるための基板とエピタキシャル層とを作製する方法を開示している。本発明方法は、炭化珪素基板の表面を非選択性エッチングして、表面損傷及び表面下損傷の両方を除去する工程;その後で、選択性エッチングによって同じ表面をエッチングし、それによって、その後に終端する傾向があるか又は該基板表面上でその次のエピタキシャル層成長中に貫通欠陥として伝播する傾向がある該基板表面に達している少なくともいくらかのベーサルプレーン転位からエッチング生成構造を発生させる工程、そして、その後に、二回エッチングされた表面上に炭化珪素の第一エピタキシャル層を成長させる工程を含む。

請求項（抜粋）：

以下の工程:すなわち、 非選択性エッチングによって炭化珪素基板の表面をエッチングして、表面損傷及び表面下損傷の両方を除去する工程; その後で、選択性エッチングによって同じ表面をエッチングし、それによって、その後に終端する傾向があるか又は該基板表面上でその次のエピタキシャル層成長中に貫通転位として伝播する傾向がある該基板上の少なくともいくらかのベーサルプレーン転位からエッチング生成構造を発生させる工程;及びその後で、 二回エッチングされた表面上に炭化珪素の第一エピタキシャル層を成長させる工程 を含む、炭化珪素ベースのバイポーラデバイスにおいて、積層欠陥核生成を減らし、そして順方向電圧(Vf)ドリフトを低下させるための基板及びエピタキシャル層を作製する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/10 ,  C30B 33/12

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B33/10 ,  C30B33/12

Fターム (12件)：

4G077BE08 ,  4G077FG02 ,  4G077FG05 ,  4G077HA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA67 ,  5F045GH02 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171134   出願人：株式会社デンソー