特許
J-GLOBAL ID：200903083309134140

種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置

発明者：
恩田 正一

恩田 正一 について

, 
原 一都

原 一都 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-002499
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：
【要約】【課題】 種結晶側面の欠陥、加工ダメージ等に基づく亀裂、ストリエーションといった欠陥のない、良質で大口径の炭化珪素単結晶体を得る。【解決手段】 種結晶1は外形が略円形または多角形のウエハ状に加工した炭化珪素単結晶からなり、その上下表面12、13の一方を炭化珪素単結晶を成長させるための主面としたときに、側面11が主面と垂直な面に対して傾斜するものとする。傾斜する側面11は小径側の表面12の物理的エッチング時に同時にエッチング処理することが可能であり、さらに化学的エッチングを施すことで種結晶1の欠陥、加工ダメージ等を除去し、成長結晶の品質を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
ウエハ状に加工された炭化珪素単結晶よりなり、その上下表面の一方を炭化珪素単結晶を成長させるための主面とする種結晶であって、外形が略円形または多角形であり、側面が上記主面と垂直な面に対して傾斜しているとともに、少なくとも上記主面および上記傾斜する側面に、物理的エッチングおよび化学的エッチングの一方または両方の処理を施してなることを特徴とする種結晶。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00
FI (2件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM