特許
J-GLOBAL ID:200903062048204334
電子線直描方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-357784
公開番号(公開出願番号):特開2001-176778
出願日: 1999年12月16日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 ウェハ面内でのレジストパターンの寸法ばらつきを防止する電子線直描方法を提供する。【解決手段】 化学増幅型レジストを用いてウェハ4上にレジストパターンを描画形成するものであり、ウェハ4上に塗布された化学増幅レジストに電子線6でパターンを描画した後、ウェハ4を大気から隔離した状態を維持したまま前記描画済み領域内の温度勾配を均一にして、前記描画済み領域に熱線照射する。
請求項(抜粋):
基板に塗布された化学増幅レジストに電子線でパターンを描画した後、前記基板を大気から隔離した状態を維持したまま前記描画済み領域内の温度勾配を均一にして、前記描画済み領域に熱線照射することを特徴とする電子線直描方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/38 511
FI (4件):
G03F 7/20 504
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 541 Z
, H01L 21/30 568
Fターム (12件):
2H096AA25
, 2H096GB02
, 2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097HB03
, 2H097LA10
, 5F046JA24
, 5F046KA02
, 5F056CB03
, 5F056CC16
, 5F056DA15
, 5F056DA26
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
パターン描画装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-299506
出願人:株式会社日立製作所
-
特開昭58-140122
-
特開昭57-052052
前のページに戻る