パターン描画装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299506
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153662
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】レジストの特性変動を防止して対象物に対するパターンの転写精度を向上させることが可能なパターン描画技術を提供する。【構成】電子光学系によって制御された電子線3aの照射により、高真空度の試料室7内でパターンの描画が行われた試料9を、ロードロック室7Aを介して試料室7に接続されたベーク室10に搬入して外気に曝すことなくPEB処理を行うようにしたパターン描画装置である。

請求項（抜粋）：

対象物に塗布されたレジストに対して、所望の真空下でエネルギビームを照射することによって所望のパターンを描画するパターン描画部と、前記パターンが描画された前記対象物を、外気に曝すことなく、所望の真空下で加熱処理する加熱処理部とを備えたことを特徴とするパターン描画装置。

FI (2件)：

H01L 21/30 541 L , H01L 21/30 568

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平4-363014
特開平4-367866
化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-234883 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (32件)

特開昭58-140122
特開昭58-140122
特開昭61-082429

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