特許
J-GLOBAL ID：200903062063612694
半導体加速度センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-301640
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 リーク電流を低減することができる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 シリコン基板1の上には梁構造体64が配置されている。梁構造体64は可動部2を有し、可動部2がシリコン基板1の上方に所定間隔を隔てて配置されている。可動部2の一部に可動電極部が形成されている。シリコン基板1における可動電極部の両側には不純物拡散層よりなる固定電極が形成されている。シリコン基板1には周辺回路20が形成されている。梁構造体64と周辺回路20とは、ポリシリコンよりなる導電性薄膜27にて電気的に接続されている。そして、梁構造体64に電圧を印加するとともに、両固定電極に電圧を印加すると、反転層が形成され、固定電極間に電流が流れる。加速度を受けて可動部2が変位した場合には、固定電極間に流れる電流が変化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された可動部を有する梁構造体と、前記半導体基板に形成され、かつ、前記梁構造体と電気的に接続された周辺回路とを備え、加速度の作用に伴う前記可動部の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度センサにおいて、前記梁構造体と周辺回路とを導電性薄膜にて電気的に接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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