ショットキーバリアダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204210
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードにおいて、順方向電圧特性を変えることなく、逆方向電圧印加時におけるリーク電流を低く抑える。【構成】アノード電極2、カソード電極3、及びシリコンペレット1の表層部位に形成されたガードリング4とにより構成される小径のショットキーバリアダイオード構造部Sを単一のペレット1上に複数個、配設する一方、各構造部Sにおいて、逆方向電圧印加時にP型領域からなるガードリング4とシリコンペレット1のN型領域とのPN接合部に広がる空乏層6の厚みxに対し、ガードリング4の内周径yを、y≦2xの寸法範囲で設定することにより、逆方向電圧印加時に、ペレット1とアノード電極2とのショットキー接合部を空乏層6によって隠し、リーク電流を減少させるようにしたもの。

請求項（抜粋）：

N型半導体基板の表面側に、該基板との間でショットキー接合部を構成するアノード金属電極膜を形成するとともに、該N型半導体基板の裏面側に前記アノード金属電極膜と対向するカソード金属電極膜を形成し、さらに前記N型半導体基板の前記アノード金属電極膜の周縁部と対向する部位にP型領域からなるガードリングを形成してなるショットキーバリアダイオードにおいて、逆方向電圧印加時に前記ガードリングと前記半導体基板のN型領域とのPN接合部に広がる空乏層の厚みをxとし、前記ガードリングの内周径をyとしたとき、該ガードリングの内周径の寸法範囲をy≦2xとなるように設定したことを特徴とするショットキーバリアダイオード。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-312499 出願人：富士電機株式会社
特開昭56-049576

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