特許
J-GLOBAL ID：200903062105661534

電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
守谷 壮一

守谷 壮一 について

, 
川瀬 健夫

川瀬 健夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008978
公開番号（公開出願番号）：特開2005-202194
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 有機半導体をアクティブマトリクス素子に用いたディスプレイにおいて、高精細かつ高開口率の実現を可能とする電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、スイッチング素子AMと、画素電極2a、2bとを有する電気光学装置用基板10であって、画素電極2a、2bは、スイッチング素子AMに接続された第1画素電極2aと、他の第1画素電極2a’に接続されたスイッチング素子を被覆する第2画素電極2bと、によって形成されていることを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、スイッチング素子と、画素電極とを有する電気光学装置用基板であって、 前記画素電極は、前記スイッチング素子に接続された第1画素電極と、他の第1画素電極に接続されたスイッチング素子を被覆する第2画素電極と、によって形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
IPC (5件)：
G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (5件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (42件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA42 ,  2H092JB63 ,  2H092KA09 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092NA07 ,  2H092QA15 ,  2H092RA10 ,  5C094AA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094FB14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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