特許
J-GLOBAL ID：200903062112748998

研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法

発明者：
佐藤 修三

佐藤 修三 について

, 
大鳥居 英

大鳥居 英 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284297
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】初期凹凸の段差緩和能力を維持しつつ、研磨レートを向上させ、ダメージを抑制可能な研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨面を有する研磨工具11を備え、ウェーハ上に金属膜が形成された被研磨面に前記研磨工具11の研磨面を接触させて研磨する研磨装置であって、前記研磨面と前記被研磨面との少なくとも接触領域に、前記金属膜より機械的強度の低い前記金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する錯形成剤供給手段71と、前記金属膜と前記錯形成剤との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域の温度調整をする温度調整手段61とを有する。
請求項（抜粋）：
研磨面を有する研磨部を備え、被研磨対象物の金属膜が形成された被研磨面に前記研磨部の前記研磨面を接触させて研磨する研磨装置であって、前記研磨面と前記被研磨面との少なくとも接触領域に、前記金属膜より機械的強度の低い当該金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する錯形成剤供給手段と、前記金属膜と前記錯形成剤との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域の温度調整をする温度調整手段とを有する研磨装置。
IPC (6件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (8件)：
H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 J ,  B24B 37/00 K ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 C
Fターム (52件)：
3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058BA08 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033XX01 ,  5F033XX17
引用特許：
審査官引用 (2件)

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