薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094892
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008440
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】逆スタガード型薄膜トランジスタのオフ時のバックチャネルのリーク電流を低減する。【構成】絶縁基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、非晶質シリコン層4、n型非晶質シリコン層、そしてドレイン電極6及びソース電極7を有し、そのドレイン電極6とソース電極7の間に非晶質シリコン層と窒化シリコンの保護膜9に直接接する100オングストローム以下のp型非晶質シリコン層8を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、第1の半導体層、ソース・ドレイン電極と前記第1の半導体層とのコンタクト層である一導電型の第2の半導体層、及びソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記第1の半導体層上に他の導電型の第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層上にソース・ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極が形成されていない部分の前記第2の半導体層を除去する工程と、前記第2の半導体層を除去した部分の前記第1の半導体層上に他の導電型からなる第3の半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平1-102968
特開平4-367276
特開平1-120070

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