特許
J-GLOBAL ID：200903062131380055
ビスフェノールカルボン酸第三級エステル誘導体及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263457
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077720
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるビスフェノールカルボン酸第三級エステル誘導体、及びこれを溶解阻止剤として含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。(式中、R1,R3は水素原子、アルキル基等、R2はアルキレン基、R4は3級アルキル基、R5は-CR6R7OR8で表わされるアセタール置換基である。R6は水素原子、アルキル基等、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。R7はアルキル基等、であり、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。R8はアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。pは0〜5の整数、qは1又は2、m,nはm≧0、n≧1、m+n≦5を満たす整数である。) 【効果】 上記式(1)で表わされるビスフェノールカルボン酸第三級エステル誘導体からなる溶解阻止剤を含有するレジスト材料は、大きな溶解コントラストを得ることができる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表わされるビスフェノールカルボン酸第三級エステル。【化1】(式中、R1,R3はそれぞれ独立に水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルコキシ基又は直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基であり、R2は直鎖状又は分枝状のアルキレン基であり、R4は3級アルキル基である。R5は下記一般式(2)で表わされるアセタール置換基である。【化2】ここで、R6は水素原子、直鎖状又は分枝状のアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルコキシ基又は直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基であり、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。R7は直鎖状又は分枝状のアルキル基、直鎖状又は分枝状のアルコキシ基又は直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基であり、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。R8は直鎖状又は分枝状のアルキル基又は直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基であり、分子鎖中にカルボニル基を含んでいてもよい。pは0〜5の整数、qは1又は2、m,nはm≧0、n≧1、m+n≦5を満たす整数である。)
IPC (9件)：
C07C 69/734
, C08F 12/22 MJY
, C08K 5/107
, C08L 25/08 KFY
, C08L 25/18 LEK
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
C07C 69/734 Z
, C08F 12/22 MJY
, C08K 5/107
, C08L 25/08 KFY
, C08L 25/18 LEK
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
