特許
J-GLOBAL ID:200903031036633067

ポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 宏 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-077419
公開番号(公開出願番号):特開平6-266110
出願日: 1993年03月12日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 従来技術を上回る、高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ベース樹脂(A)、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤(B)、一般式(化1):(R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩(C)、及び窒素含有化合物(D)を含有するアルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料。(D)の例には、脂肪酸アミド、アミノベンゼン誘導体、及び含窒素複素環式化合物がある。【効果】 大気中の窒素含有化合物の影響を受け難くタイムディレーの問題を無視できる。
請求項(抜粋):
ベース樹脂(A)、1分子中に2個以上のt-ブチル基を含む溶解阻害剤(B)、及び下記一般式(化1):【化1】 (R)nAM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示す。nは2あるいは3を示す)で表されるオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストが、更に窒素含有化合物(D)を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (5件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (7件)
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