特許

J-GLOBAL ID：200903062165931476

パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  白井 正充 ,  角岡 正弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 溝井 章司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221672
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 ポジ型の表面解像プロセスを実現することを目的とする。【解決手段】 加熱されると酸を発生させる基とエネルギービームが照射されると塩基を発生させる基とを含む重合体からなるパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマスクを介してエネルギービームを照射して、前記レジスト膜の露光部に前記重合体から塩基を発生させる第2の工程と、前記レジスト膜を加熱して前記重合体から酸を発生させ、前記レジスト膜の露光部において前記重合体から発生した塩基と前記重合体から発生した酸とを中和させる第3の工程と、前記レジスト膜の未露光部の表面にマスクを形成する第4の工程と、前記マスクによりレジストパターンを形成する第5の工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

加熱されると酸を発生させる基とエネルギービームが照射されると塩基を発生させる基とを含む重合体からなることを特徴とするパターン形成材料。

IPC (4件)：

G03F 7/004 503 ,  C08F212/14 ,  C08F220/34 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/004 503 B ,  C08F212/14 ,  C08F220/34 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (28件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025BH03 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA19 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA46P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB00P ,  4J100BB00Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38