特許

J-GLOBAL ID：200903062174443859

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： ツォン リー ,  吉川 淳 ,  竹田 隆二 ,  桐野 好生 ,  白井 宏 ,  林 健郎
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309953
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144698
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 ボロン含有シリコンウエーハの表層部のボロン濃度を維持したままで、表層部の酸素濃度を低減するための方法、及び、酸素析出物を実質的に含まないボロン含有無酸素層を表層部に形成したシリコンウエーハ、また、ボロン含有無酸素層の表面にエピタキシャル層を形成したシリコンウエーハを提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法で製造され、ボロンをドーパントとするシリコンウエーハを用い、アルゴン雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理を行い、ウエーハ表層に含まれる酸素とボロンのうち、酸素を選択的に外方拡散することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法、及び同方法により製造され表層にボロン含有無酸素層を有するシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で製造され、ボロンをドーパントとするシリコンウエーハを用い、アルゴン雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理を行い、ウエーハ表層に含まれる酸素とボロンのうち、酸素を選択的に外方拡散することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  C30B 33/02

FI (2件)：

H01L 21/324 X ,  C30B 33/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-093031
  
• 半導体基板およびその熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038698   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-173713
  
• 特開昭63-070515