特許
J-GLOBAL ID：200903062180563297
薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118395
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310867
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法等の薄膜形成装置において、膜質に優れ、また成膜速度が大きく生産性に優れた薄膜を得るための薄膜形成装置を提供する。およびそれを用いた薄膜形成方法と得られる薄膜を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置15において、プラズマを発生させる電極6とガス導入口11との間に触媒電極9、および触媒電極用電源10を配設する。かかるプラズマCVD装置により、触媒電極によりガスを活性化しつつ、プラズマ反応による薄膜形成工程を促進する。【効果】 上記の薄膜形成装置を、磁気テープの保護層または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれば、形成される薄膜の膜質および膜形成速度の向上が計れる。
請求項（抜粋）：
真空槽と、前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、前記真空槽へのガス導入口とを備えた薄膜形成装置において、前記電極と前記ガス導入口との間に、触媒電極と、前記触媒電極用電源とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, G11B 5/187
, G11B 5/84
, H05H 1/46
C23C 16/50
, C23C 16/44 C
, G11B 5/187 T
, G11B 5/84 B
, H05H 1/46 A
