特許
J-GLOBAL ID：200903062218459979
メモリセル及び記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河野 登夫
, 河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-347882
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087069
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】ペロブスカイト構造をもつ薄膜材料(例えばPCMO)等からなる可変抵抗素子を記憶素子として低電圧で動作可能であり、且つ高集積が可能なメモリセル及び該メモリセルを用いた記憶装置を提供する。【解決手段】MCはメモリセルを示し、電流制御素子Qc及び可変抵抗素子Rcの組み合わせにより構成される。電流制御素子Qcとして電界効果トランジスタを使用する。電流制御素子Qcは可変抵抗素子Rcに流れる電流を制御するように可変抵抗素子Rcの電流路に直列に接続されるものとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
可変抵抗素子と、該可変抵抗素子に流れる電流を制御する電流制御素子とを備えることを特徴とするメモリセル。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083JA45
, 5F083LA04
, 5F083LA05
