特許
J-GLOBAL ID：200903062222434069
半導体基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094256
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343074
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】量子ドット構造型の発光層を備え、かつ、実用に供することのできる程度の発光を実現する半導体発光素子、及び半導体基板を提供する。【解決手段】所定の基材上において、少なくともAlを含み、転位密度が1×1011/cm2以下であり、(002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。次いで、前記III族窒化物下地層の上方において、全III族元素に対するGa含有量が50原子%以上であるIII族窒化物からなるキャリア密度1×1016/cm2以上のp型半導体層群を形成する。次いで、前記p型半導体層群上において、互いに孤立した複数の島状結晶を含む発光層を形成する。次いで、前記発光層上に全III族元素に対するGa含有量が50原子%以上であるIII族窒化物からなるn型半導体層群を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体発光素子であって、
所定の基材と、
前記基材の上に形成された下地層と、
前記下地層の上に形成されたp型半導体層群と、
前記p型半導体層群の上に形成され、島状結晶を含んでなる発光層と、
前記発光層の上に形成されたn型半導体層群と、
を備え、
前記下地層は、少なくともAlを含む第1のIII族窒化物からなり、転位密度が1×1011/cm2以下であり、かつ、(002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、
前記p型半導体層群は、全III族元素に対するGa含有量が50原子%以上である第2のIII族窒化物からなり、かつ、キャリア密度が1×1016/cm3以上であり、
前記島状結晶は、第3のIII族窒化物からなり、かつ、量子効果を発現するように形成されてなり、
前記発光層においては、前記島状結晶が第4の窒化物に埋め込まれてなり、
前記n型半導体層群は、全III族元素に対するGa含有量が50原子%以上である第5のIII族窒化物からなる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (47件)：
4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029BD01
, 4K029CA02
, 4K029FA07
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BA55
, 4K030BA56
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030HA03
, 4K030JA10
, 4K030LA18
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CB36
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD15
, 5F045AF09
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA56
, 5F045HA06
