特許

J-GLOBAL ID：200903062232641313

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 小池 正好 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086084
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264832
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】より発光輝度を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。【構成】多重量子井戸構造(MQW) において井戸層52は、その両側にバリア層51としてバッドギャップの大きい層が取り囲んでいるため、バリア層51で発生したキャリアがほとんど井戸層52に流れ込み、発光に寄与する。そのため発光輝度が向上し、出力が増加する構造を有している。ここで井戸層52にアクセプターとドナーとを同時に添加してやると、井戸層52内では、アクセプターレベルとドナーレベル間の、より長波長の発光があり、キャリアが多いことから発光輝度は高く維持される。

請求項（抜粋）：

発光層を挟むクラッド層の両接合をダブルヘテロ構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記発光層を、アクセプターとドナーとを同時ドープした、少なくとも一層以上の多重量子井戸構造(MQW) としたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体超格子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083755   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体超格子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083755   出願人：日本電信電話株式会社