特許
J-GLOBAL ID：200903062276370821
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237901
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハーからの取り出し個数が感歪面の長さ方向に直交する面の寸法できまるため、半導体ウェハーからの取り出し個数が少ない。そのため、半導体ウェハーからの素子の取り個数が少なくコストダウンすることが困難であった。また従来の製造方法においては、エッチングプロセスを使用するため製造プロセスが多く、コストダウンすることができなかった。【解決手段】 本発明は1枚の半導体ウェハーから多数のセンサを製造するために、センサの側面に拡散抵抗を配置した。そして、このようにセンサ側面に変位量の検出手段を設けることにより、エッチング工程を使用せず、製造工程の少ない、高精度で安価なセンサを得ることができる。また、歩留りの良い半導体加速度センサを含む半導体装置を供給することができる。
請求項（抜粋）：
感歪部を有する半導体ウェハから取り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハから取り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少なくとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段と、前記半導体ウェハから取り出した直方体の構造体の感歪部を有する面にブリッジ回路を複数有する半導体加速度センサを含む半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/12
, H01L 21/301
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
, H01L 21/78 F
