特許

J-GLOBAL ID：200903062290366780

半導体受光素子

発明者： 小 野 玲 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027197
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231992
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 応答特性を大幅に改善することが可能なpn接合ダイオード型の半導体受光素子を提供する。【解決手段】 光吸収層3とpn接合10とを有する半導体受光素子において、動作電圧を印加した状態で接合フロント10Aから延びる空乏層により、光吸収層の受光領域を完全に空乏化させることにより、空乏層化していない光吸収層での走行速度の遅いキャリアの発生を防止することができ、応答特性が向上する。

請求項（抜粋）：

光吸収層と、pn接合と、を備え、前記光吸収層の受光領域における光の吸収により発生したキャリアを、前記pn接合に対して逆方向の電圧を印加することにより形成される空乏層により光電流として検出する半導体受光素子であって、動作電圧を印加した状態において、前記光吸収層の前記受光領域の全てが空乏化することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 J ,  H01L 27/14 Z

Fターム (19件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA34 ,  4M118CB01 ,  4M118CB03 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049QA02 ,  5F049QA03 ,  5F049QA06 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ01 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-297868
  
• フォトダイオード構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-129543   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー