特許
J-GLOBAL ID：200903062290409994

半導体装置

発明者：
有本 和民

有本 和民 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136937
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321259
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 消費電流が少なく、かつレイアウト面積が小さな半導体装置を提供する。【解決手段】 スタンバイモード期間において切換スイッチ6,7を予め定める周期で切換えて、インバータ列1〜3のpチャネルMOSトランジスタ4およびnチャネルMOSトランジスタ5のソースにそれぞれ昇圧電位Vppおよび負電位Vbbを与える。MOSトランジスタ4,5のボディー領域の蓄積電荷を排出してMOSトランジスタ4のボディー電位の低下およびMOSトランジスタ5のボディー電位の上昇を防止し、サブスレショールドリーク電流を低減化させる。コンタクト領域85によってボディー電位を固定していた従来に比べ、レイアウト面積が小さくて済む。
請求項（抜粋）：
SOI基板上に形成され、スタンバイモードとアクティブモードを有する半導体装置であって、ソース領域と、ドレイン領域と、該2つの領域間に位置するボディ領域とを含むMOSトランジスタ、および前記スタンバイモード期間のうちの予め定める期間は前記MOSトランジスタのボディ領域の蓄積電荷を排出するための予め定める電位を前記ソース領域に与え、それ以外の期間は第1の電源電位を前記ソース領域に与えるソース電位切換手段を備える、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H03F 3/68
FI (5件)：
H01L 27/12 Z ,  H03F 3/68 Z ,  H01L 27/08 321 L ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 622
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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